手机拍照新“姿势”：小米翻转摄像头手机专利公布

如果想要用手机拍摄天空，或是地面，你会怎么做?将手机举过头顶，或是让手机与地面平行，应该是大部分人唯一的选择。

今天，北京小米移动软件有限公司申请的“一种设有翻转式摄像模组的移动终端”专利获批公布，申请公告号为CN115277891A。

该专利或许能够让手机摄影迎来新“姿势”，在特定角度的拍摄上更加舒适。

根据摘要提供的内容，这一专利做出了一种独特的翻转式摄像模组，在常态下，摄像模组放置于限位槽中，与常规手机摄像模组没有区别。

但在需要的时候，该模组能够在舵机组件的驱动下进行90°翻转，与机身背部垂直，从而让整个模组具有更大的灵活性，提升了用户的拍照体验。

简单来说，通过这一专利，用户在拍摄天空的特定角度的物体时，
   

手机续航2周 1nm级工艺芯片技术来了：性能提升200%

目前半导体工艺已经发展到了5nm，明年三星台积电都在抢3nm工艺首发，之后还会有2nm工艺，再之后的1nm节点又是个分水岭了，需要全新的半导体技术。

IBM、三星等公司上半年公布了全球首个2nm工艺芯片，现在双方又在IEDM 2021会议上宣布了最新的合作成果，推出了VTFET(垂直传输场效应晶体管)技术，它与传统晶体管的电流水平方向传输不同，是垂直方向传输的，有望进军1nm及以下工艺。

根据IBM及三星的说法，VTFET技术有2个优点，一个是可以绕过现在技术的诸多性能限制，进一步扩展摩尔定律，另一个就是性能大幅提升，采用VTFET技术的芯片速度可提升两倍，或者降低85%的功耗。

这个技术要是量产了，那么芯片的能效比是大幅提升的，智能手机充电一次可使用两周，不过三星及IBM依然没有公布VTFET工艺的量产时间，所以还是。